IRLHS6342TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
Artikelnummer
IRLHS6342TR2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
6-PQFN (2x2)
Effektförlust (max)
2.1W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.7A (Ta), 19A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 10µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1019pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27601 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLHS6342TR2PBF
IRLHS6342TR2PBF Elektroniska komponenter
IRLHS6342TR2PBF Försäljning
IRLHS6342TR2PBF Leverantör
IRLHS6342TR2PBF Distributör
IRLHS6342TR2PBF Datatabell
IRLHS6342TR2PBF Foton
IRLHS6342TR2PBF Pris
IRLHS6342TR2PBF Erbjudande
IRLHS6342TR2PBF Lägsta pris
IRLHS6342TR2PBF Sök
IRLHS6342TR2PBF Köp av
IRLHS6342TR2PBF Chip