IRLH5030TR2PBF
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
Artikelnummer
IRLH5030TR2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
PQFN (5x6) Single Die
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Ta), 100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
94nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5185pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44535 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLH5030TR2PBF
IRLH5030TR2PBF Elektroniska komponenter
IRLH5030TR2PBF Försäljning
IRLH5030TR2PBF Leverantör
IRLH5030TR2PBF Distributör
IRLH5030TR2PBF Datatabell
IRLH5030TR2PBF Foton
IRLH5030TR2PBF Pris
IRLH5030TR2PBF Erbjudande
IRLH5030TR2PBF Lägsta pris
IRLH5030TR2PBF Sök
IRLH5030TR2PBF Köp av
IRLH5030TR2PBF Chip