IRLH5030TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
Artikelnummer
IRLH5030TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
8-PQFN (5x6)
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Ta), 100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
94nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5185pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17979 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLH5030TRPBF
IRLH5030TRPBF Elektroniska komponenter
IRLH5030TRPBF Försäljning
IRLH5030TRPBF Leverantör
IRLH5030TRPBF Distributör
IRLH5030TRPBF Datatabell
IRLH5030TRPBF Foton
IRLH5030TRPBF Pris
IRLH5030TRPBF Erbjudande
IRLH5030TRPBF Lägsta pris
IRLH5030TRPBF Sök
IRLH5030TRPBF Köp av
IRLH5030TRPBF Chip