IRLHM630TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Artikelnummer
IRLHM630TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-VQFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
PQFN (3x3)
Effektförlust (max)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3170pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7526 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLHM630TRPBF
IRLHM630TRPBF Elektroniska komponenter
IRLHM630TRPBF Försäljning
IRLHM630TRPBF Leverantör
IRLHM630TRPBF Distributör
IRLHM630TRPBF Datatabell
IRLHM630TRPBF Foton
IRLHM630TRPBF Pris
IRLHM630TRPBF Erbjudande
IRLHM630TRPBF Lägsta pris
IRLHM630TRPBF Sök
IRLHM630TRPBF Köp av
IRLHM630TRPBF Chip