IRLHM630TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Artikelnummer
IRLHM630TR2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-VQFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
PQFN (3x3)
Effektförlust (max)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3170pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11800 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLHM630TR2PBF
IRLHM630TR2PBF Elektroniska komponenter
IRLHM630TR2PBF Försäljning
IRLHM630TR2PBF Leverantör
IRLHM630TR2PBF Distributör
IRLHM630TR2PBF Datatabell
IRLHM630TR2PBF Foton
IRLHM630TR2PBF Pris
IRLHM630TR2PBF Erbjudande
IRLHM630TR2PBF Lägsta pris
IRLHM630TR2PBF Sök
IRLHM630TR2PBF Köp av
IRLHM630TR2PBF Chip