IRLHM620TRPBF
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Artikelnummer
IRLHM620TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PQFN (3x3)
Effektförlust (max)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Ta), 40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3620pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5316 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLHM620TRPBF
IRLHM620TRPBF Elektroniska komponenter
IRLHM620TRPBF Försäljning
IRLHM620TRPBF Leverantör
IRLHM620TRPBF Distributör
IRLHM620TRPBF Datatabell
IRLHM620TRPBF Foton
IRLHM620TRPBF Pris
IRLHM620TRPBF Erbjudande
IRLHM620TRPBF Lägsta pris
IRLHM620TRPBF Sök
IRLHM620TRPBF Köp av
IRLHM620TRPBF Chip