IRLHM620TR2PBF
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Artikelnummer
IRLHM620TR2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-VQFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
PQFN (3x3)
Effektförlust (max)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Ta), 40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3620pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38048 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLHM620TR2PBF
IRLHM620TR2PBF Elektroniska komponenter
IRLHM620TR2PBF Försäljning
IRLHM620TR2PBF Leverantör
IRLHM620TR2PBF Distributör
IRLHM620TR2PBF Datatabell
IRLHM620TR2PBF Foton
IRLHM620TR2PBF Pris
IRLHM620TR2PBF Erbjudande
IRLHM620TR2PBF Lägsta pris
IRLHM620TR2PBF Sök
IRLHM620TR2PBF Köp av
IRLHM620TR2PBF Chip