IRL6372PBF
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Artikelnummer
IRL6372PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tube
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.1A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 10µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1020pF @ 25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49759 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL6372PBF
IRL6372PBF Elektroniska komponenter
IRL6372PBF Försäljning
IRL6372PBF Leverantör
IRL6372PBF Distributör
IRL6372PBF Datatabell
IRL6372PBF Foton
IRL6372PBF Pris
IRL6372PBF Erbjudande
IRL6372PBF Lägsta pris
IRL6372PBF Sök
IRL6372PBF Köp av
IRL6372PBF Chip