IRL100HS121
MOSFET N-CH 100V 6PQFN
Artikelnummer
IRL100HS121
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-VDFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
6-PQFN (2x2)
Effektförlust (max)
11.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 10µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
5.6nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37000 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL100HS121
IRL100HS121 Elektroniska komponenter
IRL100HS121 Försäljning
IRL100HS121 Leverantör
IRL100HS121 Distributör
IRL100HS121 Datatabell
IRL100HS121 Foton
IRL100HS121 Pris
IRL100HS121 Erbjudande
IRL100HS121 Lägsta pris
IRL100HS121 Sök
IRL100HS121 Köp av
IRL100HS121 Chip