IRL1004LPBF
MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
Artikelnummer
IRL1004LPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5330pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11771 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL1004LPBF
IRL1004LPBF Elektroniska komponenter
IRL1004LPBF Försäljning
IRL1004LPBF Leverantör
IRL1004LPBF Distributör
IRL1004LPBF Datatabell
IRL1004LPBF Foton
IRL1004LPBF Pris
IRL1004LPBF Erbjudande
IRL1004LPBF Lägsta pris
IRL1004LPBF Sök
IRL1004LPBF Köp av
IRL1004LPBF Chip