IRL1004L
MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
Artikelnummer
IRL1004L
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5330pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10928 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL1004L
IRL1004L Elektroniska komponenter
IRL1004L Försäljning
IRL1004L Leverantör
IRL1004L Distributör
IRL1004L Datatabell
IRL1004L Foton
IRL1004L Pris
IRL1004L Erbjudande
IRL1004L Lägsta pris
IRL1004L Sök
IRL1004L Köp av
IRL1004L Chip