IRL1004STRLPBF
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Artikelnummer
IRL1004STRLPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5330pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27989 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL1004STRLPBF
IRL1004STRLPBF Elektroniska komponenter
IRL1004STRLPBF Försäljning
IRL1004STRLPBF Leverantör
IRL1004STRLPBF Distributör
IRL1004STRLPBF Datatabell
IRL1004STRLPBF Foton
IRL1004STRLPBF Pris
IRL1004STRLPBF Erbjudande
IRL1004STRLPBF Lägsta pris
IRL1004STRLPBF Sök
IRL1004STRLPBF Köp av
IRL1004STRLPBF Chip