IRFSL5620PBF
MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Artikelnummer
IRFSL5620PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
144W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
77.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1710pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49139 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFSL5620PBF
IRFSL5620PBF Elektroniska komponenter
IRFSL5620PBF Försäljning
IRFSL5620PBF Leverantör
IRFSL5620PBF Distributör
IRFSL5620PBF Datatabell
IRFSL5620PBF Foton
IRFSL5620PBF Pris
IRFSL5620PBF Erbjudande
IRFSL5620PBF Lägsta pris
IRFSL5620PBF Sök
IRFSL5620PBF Köp av
IRFSL5620PBF Chip