IRFSL4615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
Artikelnummer
IRFSL4615PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
144W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1750pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32269 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFSL4615PBF
IRFSL4615PBF Elektroniska komponenter
IRFSL4615PBF Försäljning
IRFSL4615PBF Leverantör
IRFSL4615PBF Distributör
IRFSL4615PBF Datatabell
IRFSL4615PBF Foton
IRFSL4615PBF Pris
IRFSL4615PBF Erbjudande
IRFSL4615PBF Lägsta pris
IRFSL4615PBF Sök
IRFSL4615PBF Köp av
IRFSL4615PBF Chip