IRFSL4410PBF
MOSFET N-CH 100V 88A TO-262
Artikelnummer
IRFSL4410PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5150pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29324 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFSL4410PBF
IRFSL4410PBF Elektroniska komponenter
IRFSL4410PBF Försäljning
IRFSL4410PBF Leverantör
IRFSL4410PBF Distributör
IRFSL4410PBF Datatabell
IRFSL4410PBF Foton
IRFSL4410PBF Pris
IRFSL4410PBF Erbjudande
IRFSL4410PBF Lägsta pris
IRFSL4410PBF Sök
IRFSL4410PBF Köp av
IRFSL4410PBF Chip