IRFSL4229PBF
MOSFET N-CH 250V 45A TO-262
Artikelnummer
IRFSL4229PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
330W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
48 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4560pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44033 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFSL4229PBF
IRFSL4229PBF Elektroniska komponenter
IRFSL4229PBF Försäljning
IRFSL4229PBF Leverantör
IRFSL4229PBF Distributör
IRFSL4229PBF Datatabell
IRFSL4229PBF Foton
IRFSL4229PBF Pris
IRFSL4229PBF Erbjudande
IRFSL4229PBF Lägsta pris
IRFSL4229PBF Sök
IRFSL4229PBF Köp av
IRFSL4229PBF Chip