IRFSL4115PBF
MOSFET N-CH 150V 195A TO262
Artikelnummer
IRFSL4115PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
375W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12.1 mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5270pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42541 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFSL4115PBF
IRFSL4115PBF Elektroniska komponenter
IRFSL4115PBF Försäljning
IRFSL4115PBF Leverantör
IRFSL4115PBF Distributör
IRFSL4115PBF Datatabell
IRFSL4115PBF Foton
IRFSL4115PBF Pris
IRFSL4115PBF Erbjudande
IRFSL4115PBF Lägsta pris
IRFSL4115PBF Sök
IRFSL4115PBF Köp av
IRFSL4115PBF Chip