IRFS4229TRLPBF
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Artikelnummer
IRFS4229TRLPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
330W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
48 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4560pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12426 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFS4229TRLPBF
IRFS4229TRLPBF Elektroniska komponenter
IRFS4229TRLPBF Försäljning
IRFS4229TRLPBF Leverantör
IRFS4229TRLPBF Distributör
IRFS4229TRLPBF Datatabell
IRFS4229TRLPBF Foton
IRFS4229TRLPBF Pris
IRFS4229TRLPBF Erbjudande
IRFS4229TRLPBF Lägsta pris
IRFS4229TRLPBF Sök
IRFS4229TRLPBF Köp av
IRFS4229TRLPBF Chip