IRFS4010TRRPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Artikelnummer
IRFS4010TRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
375W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 106A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
215nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9575pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21838 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFS4010TRRPBF
IRFS4010TRRPBF Elektroniska komponenter
IRFS4010TRRPBF Försäljning
IRFS4010TRRPBF Leverantör
IRFS4010TRRPBF Distributör
IRFS4010TRRPBF Datatabell
IRFS4010TRRPBF Foton
IRFS4010TRRPBF Pris
IRFS4010TRRPBF Erbjudande
IRFS4010TRRPBF Lägsta pris
IRFS4010TRRPBF Sök
IRFS4010TRRPBF Köp av
IRFS4010TRRPBF Chip