IRFS4010TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Artikelnummer
IRFS4010TRLPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
375W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 106A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
215nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9575pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41478 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFS4010TRLPBF
IRFS4010TRLPBF Elektroniska komponenter
IRFS4010TRLPBF Försäljning
IRFS4010TRLPBF Leverantör
IRFS4010TRLPBF Distributör
IRFS4010TRLPBF Datatabell
IRFS4010TRLPBF Foton
IRFS4010TRLPBF Pris
IRFS4010TRLPBF Erbjudande
IRFS4010TRLPBF Lägsta pris
IRFS4010TRLPBF Sök
IRFS4010TRLPBF Köp av
IRFS4010TRLPBF Chip