IRF4104GPBF
MOSFET N CH 40V 75A TO220AB
Artikelnummer
IRF4104GPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
140W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35355 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF4104GPBF
IRF4104GPBF Elektroniska komponenter
IRF4104GPBF Försäljning
IRF4104GPBF Leverantör
IRF4104GPBF Distributör
IRF4104GPBF Datatabell
IRF4104GPBF Foton
IRF4104GPBF Pris
IRF4104GPBF Erbjudande
IRF4104GPBF Lägsta pris
IRF4104GPBF Sök
IRF4104GPBF Köp av
IRF4104GPBF Chip