IRF40H210
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
Artikelnummer
IRF40H210
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®, StrongIRFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
8-PQFN (5x6)
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5406pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47986 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF40H210
IRF40H210 Elektroniska komponenter
IRF40H210 Försäljning
IRF40H210 Leverantör
IRF40H210 Distributör
IRF40H210 Datatabell
IRF40H210 Foton
IRF40H210 Pris
IRF40H210 Erbjudande
IRF40H210 Lägsta pris
IRF40H210 Sök
IRF40H210 Köp av
IRF40H210 Chip