IRF40R207
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Artikelnummer
IRF40R207
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®, StrongIRFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252, (D-Pak)
Effektförlust (max)
83W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.1 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2110pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44512 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF40R207
IRF40R207 Elektroniska komponenter
IRF40R207 Försäljning
IRF40R207 Leverantör
IRF40R207 Distributör
IRF40R207 Datatabell
IRF40R207 Foton
IRF40R207 Pris
IRF40R207 Erbjudande
IRF40R207 Lägsta pris
IRF40R207 Sök
IRF40R207 Köp av
IRF40R207 Chip