IRF3717TRPBF
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF3717TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2890pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7344 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3717TRPBF
IRF3717TRPBF Elektroniska komponenter
IRF3717TRPBF Försäljning
IRF3717TRPBF Leverantör
IRF3717TRPBF Distributör
IRF3717TRPBF Datatabell
IRF3717TRPBF Foton
IRF3717TRPBF Pris
IRF3717TRPBF Erbjudande
IRF3717TRPBF Lägsta pris
IRF3717TRPBF Sök
IRF3717TRPBF Köp av
IRF3717TRPBF Chip