IRF3000PBF
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF3000PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 960mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
730pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44874 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3000PBF
IRF3000PBF Elektroniska komponenter
IRF3000PBF Försäljning
IRF3000PBF Leverantör
IRF3000PBF Distributör
IRF3000PBF Datatabell
IRF3000PBF Foton
IRF3000PBF Pris
IRF3000PBF Erbjudande
IRF3000PBF Lägsta pris
IRF3000PBF Sök
IRF3000PBF Köp av
IRF3000PBF Chip