IRF3007PBF
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
Artikelnummer
IRF3007PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
75V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12.6 mOhm @ 48A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3270pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32818 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3007PBF
IRF3007PBF Elektroniska komponenter
IRF3007PBF Försäljning
IRF3007PBF Leverantör
IRF3007PBF Distributör
IRF3007PBF Datatabell
IRF3007PBF Foton
IRF3007PBF Pris
IRF3007PBF Erbjudande
IRF3007PBF Lägsta pris
IRF3007PBF Sök
IRF3007PBF Köp av
IRF3007PBF Chip