IRF3717TR
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF3717TR
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2890pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15950 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3717TR
IRF3717TR Elektroniska komponenter
IRF3717TR Försäljning
IRF3717TR Leverantör
IRF3717TR Distributör
IRF3717TR Datatabell
IRF3717TR Foton
IRF3717TR Pris
IRF3717TR Erbjudande
IRF3717TR Lägsta pris
IRF3717TR Sök
IRF3717TR Köp av
IRF3717TR Chip