IRF3711STRRPBF
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Artikelnummer
IRF3711STRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2980pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10119 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3711STRRPBF
IRF3711STRRPBF Elektroniska komponenter
IRF3711STRRPBF Försäljning
IRF3711STRRPBF Leverantör
IRF3711STRRPBF Distributör
IRF3711STRRPBF Datatabell
IRF3711STRRPBF Foton
IRF3711STRRPBF Pris
IRF3711STRRPBF Erbjudande
IRF3711STRRPBF Lägsta pris
IRF3711STRRPBF Sök
IRF3711STRRPBF Köp av
IRF3711STRRPBF Chip