IRF3710ZGPBF
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
Artikelnummer
IRF3710ZGPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
160W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36586 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3710ZGPBF
IRF3710ZGPBF Elektroniska komponenter
IRF3710ZGPBF Försäljning
IRF3710ZGPBF Leverantör
IRF3710ZGPBF Distributör
IRF3710ZGPBF Datatabell
IRF3710ZGPBF Foton
IRF3710ZGPBF Pris
IRF3710ZGPBF Erbjudande
IRF3710ZGPBF Lägsta pris
IRF3710ZGPBF Sök
IRF3710ZGPBF Köp av
IRF3710ZGPBF Chip