IRF3710STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Artikelnummer
IRF3710STRLPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3130pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29295 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3710STRLPBF
IRF3710STRLPBF Elektroniska komponenter
IRF3710STRLPBF Försäljning
IRF3710STRLPBF Leverantör
IRF3710STRLPBF Distributör
IRF3710STRLPBF Datatabell
IRF3710STRLPBF Foton
IRF3710STRLPBF Pris
IRF3710STRLPBF Erbjudande
IRF3710STRLPBF Lägsta pris
IRF3710STRLPBF Sök
IRF3710STRLPBF Köp av
IRF3710STRLPBF Chip