Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRF3709ZSTRR

IRF3709ZSTRR

MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Artikelnummer
IRF3709ZSTRR
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
79W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.3 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2130pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52352 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IRF3709ZSTRR
IRF3709ZSTRR Elektroniska komponenter
IRF3709ZSTRR Försäljning
IRF3709ZSTRR Leverantör
IRF3709ZSTRR Distributör
IRF3709ZSTRR Datatabell
IRF3709ZSTRR Foton
IRF3709ZSTRR Pris
IRF3709ZSTRR Erbjudande
IRF3709ZSTRR Lägsta pris
IRF3709ZSTRR Sök
IRF3709ZSTRR Köp av
IRF3709ZSTRR Chip