IRF3709ZS
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Artikelnummer
IRF3709ZS
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
79W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.3 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2130pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6086 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3709ZS
IRF3709ZS Elektroniska komponenter
IRF3709ZS Försäljning
IRF3709ZS Leverantör
IRF3709ZS Distributör
IRF3709ZS Datatabell
IRF3709ZS Foton
IRF3709ZS Pris
IRF3709ZS Erbjudande
IRF3709ZS Lägsta pris
IRF3709ZS Sök
IRF3709ZS Köp av
IRF3709ZS Chip