IRF3709ZL
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
Artikelnummer
IRF3709ZL
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
79W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.3 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2130pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15066 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3709ZL
IRF3709ZL Elektroniska komponenter
IRF3709ZL Försäljning
IRF3709ZL Leverantör
IRF3709ZL Distributör
IRF3709ZL Datatabell
IRF3709ZL Foton
IRF3709ZL Pris
IRF3709ZL Erbjudande
IRF3709ZL Lägsta pris
IRF3709ZL Sök
IRF3709ZL Köp av
IRF3709ZL Chip