IRF3707ZL
MOSFET N-CH 30V 59A TO-262
Artikelnummer
IRF3707ZL
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
57W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1210pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8865 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3707ZL
IRF3707ZL Elektroniska komponenter
IRF3707ZL Försäljning
IRF3707ZL Leverantör
IRF3707ZL Distributör
IRF3707ZL Datatabell
IRF3707ZL Foton
IRF3707ZL Pris
IRF3707ZL Erbjudande
IRF3707ZL Lägsta pris
IRF3707ZL Sök
IRF3707ZL Köp av
IRF3707ZL Chip