IRF3610SPBF
MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
Artikelnummer
IRF3610SPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
333W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
103A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11.6 mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5380pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29923 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3610SPBF
IRF3610SPBF Elektroniska komponenter
IRF3610SPBF Försäljning
IRF3610SPBF Leverantör
IRF3610SPBF Distributör
IRF3610SPBF Datatabell
IRF3610SPBF Foton
IRF3610SPBF Pris
IRF3610SPBF Erbjudande
IRF3610SPBF Lägsta pris
IRF3610SPBF Sök
IRF3610SPBF Köp av
IRF3610SPBF Chip