IRF3415STRRPBF
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Artikelnummer
IRF3415STRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53158 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3415STRRPBF
IRF3415STRRPBF Elektroniska komponenter
IRF3415STRRPBF Försäljning
IRF3415STRRPBF Leverantör
IRF3415STRRPBF Distributör
IRF3415STRRPBF Datatabell
IRF3415STRRPBF Foton
IRF3415STRRPBF Pris
IRF3415STRRPBF Erbjudande
IRF3415STRRPBF Lägsta pris
IRF3415STRRPBF Sök
IRF3415STRRPBF Köp av
IRF3415STRRPBF Chip