IRF3415PBF
MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
Artikelnummer
IRF3415PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48593 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3415PBF
IRF3415PBF Elektroniska komponenter
IRF3415PBF Försäljning
IRF3415PBF Leverantör
IRF3415PBF Distributör
IRF3415PBF Datatabell
IRF3415PBF Foton
IRF3415PBF Pris
IRF3415PBF Erbjudande
IRF3415PBF Lägsta pris
IRF3415PBF Sök
IRF3415PBF Köp av
IRF3415PBF Chip