IPW50R299CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
Artikelnummer
IPW50R299CPFKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO247-3
Effektförlust (max)
104W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
550V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1190pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53053 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPW50R299CPFKSA1
IPW50R299CPFKSA1 Elektroniska komponenter
IPW50R299CPFKSA1 Försäljning
IPW50R299CPFKSA1 Leverantör
IPW50R299CPFKSA1 Distributör
IPW50R299CPFKSA1 Datatabell
IPW50R299CPFKSA1 Foton
IPW50R299CPFKSA1 Pris
IPW50R299CPFKSA1 Erbjudande
IPW50R299CPFKSA1 Lägsta pris
IPW50R299CPFKSA1 Sök
IPW50R299CPFKSA1 Köp av
IPW50R299CPFKSA1 Chip