IPW50R190CEFKSA1
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247
Artikelnummer
IPW50R190CEFKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO247-3
Effektförlust (max)
127W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 510µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
47.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1137pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
13V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37607 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPW50R190CEFKSA1
IPW50R190CEFKSA1 Elektroniska komponenter
IPW50R190CEFKSA1 Försäljning
IPW50R190CEFKSA1 Leverantör
IPW50R190CEFKSA1 Distributör
IPW50R190CEFKSA1 Datatabell
IPW50R190CEFKSA1 Foton
IPW50R190CEFKSA1 Pris
IPW50R190CEFKSA1 Erbjudande
IPW50R190CEFKSA1 Lägsta pris
IPW50R190CEFKSA1 Sök
IPW50R190CEFKSA1 Köp av
IPW50R190CEFKSA1 Chip