IPSA70R600CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 10.5A IPAK
Artikelnummer
IPSA70R600CEAKMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
IPAK (TO-251)
Effektförlust (max)
86W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
700V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
474pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7238 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPSA70R600CEAKMA1
IPSA70R600CEAKMA1 Elektroniska komponenter
IPSA70R600CEAKMA1 Försäljning
IPSA70R600CEAKMA1 Leverantör
IPSA70R600CEAKMA1 Distributör
IPSA70R600CEAKMA1 Datatabell
IPSA70R600CEAKMA1 Foton
IPSA70R600CEAKMA1 Pris
IPSA70R600CEAKMA1 Erbjudande
IPSA70R600CEAKMA1 Lägsta pris
IPSA70R600CEAKMA1 Sök
IPSA70R600CEAKMA1 Köp av
IPSA70R600CEAKMA1 Chip