Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPSA70R1K4CEAKMA1

IPSA70R1K4CEAKMA1

MOSFET N-CH 700V 5.4A IPAK
Artikelnummer
IPSA70R1K4CEAKMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
IPAK (TO-251)
Effektförlust (max)
53W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
700V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28220 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPSA70R1K4CEAKMA1
IPSA70R1K4CEAKMA1 Elektroniska komponenter
IPSA70R1K4CEAKMA1 Försäljning
IPSA70R1K4CEAKMA1 Leverantör
IPSA70R1K4CEAKMA1 Distributör
IPSA70R1K4CEAKMA1 Datatabell
IPSA70R1K4CEAKMA1 Foton
IPSA70R1K4CEAKMA1 Pris
IPSA70R1K4CEAKMA1 Erbjudande
IPSA70R1K4CEAKMA1 Lägsta pris
IPSA70R1K4CEAKMA1 Sök
IPSA70R1K4CEAKMA1 Köp av
IPSA70R1K4CEAKMA1 Chip