IPP530N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
Artikelnummer
IPP530N15N3GXKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO220-3-1
Effektförlust (max)
68W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
53 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
887pF @ 75V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8513 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPP530N15N3GXKSA1
IPP530N15N3GXKSA1 Elektroniska komponenter
IPP530N15N3GXKSA1 Försäljning
IPP530N15N3GXKSA1 Leverantör
IPP530N15N3GXKSA1 Distributör
IPP530N15N3GXKSA1 Datatabell
IPP530N15N3GXKSA1 Foton
IPP530N15N3GXKSA1 Pris
IPP530N15N3GXKSA1 Erbjudande
IPP530N15N3GXKSA1 Lägsta pris
IPP530N15N3GXKSA1 Sök
IPP530N15N3GXKSA1 Köp av
IPP530N15N3GXKSA1 Chip