IPP50R199CPHKSA1
MOSFET N-CH 550V TO-220
Artikelnummer
IPP50R199CPHKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO220-3-1
Effektförlust (max)
139W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
550V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 660µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31243 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPP50R199CPHKSA1
IPP50R199CPHKSA1 Elektroniska komponenter
IPP50R199CPHKSA1 Försäljning
IPP50R199CPHKSA1 Leverantör
IPP50R199CPHKSA1 Distributör
IPP50R199CPHKSA1 Datatabell
IPP50R199CPHKSA1 Foton
IPP50R199CPHKSA1 Pris
IPP50R199CPHKSA1 Erbjudande
IPP50R199CPHKSA1 Lägsta pris
IPP50R199CPHKSA1 Sök
IPP50R199CPHKSA1 Köp av
IPP50R199CPHKSA1 Chip