IPP50CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 20A TO-220
Artikelnummer
IPP50CN10NGXKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO-220-3
Effektförlust (max)
44W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1090pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18167 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPP50CN10NGXKSA1
IPP50CN10NGXKSA1 Elektroniska komponenter
IPP50CN10NGXKSA1 Försäljning
IPP50CN10NGXKSA1 Leverantör
IPP50CN10NGXKSA1 Distributör
IPP50CN10NGXKSA1 Datatabell
IPP50CN10NGXKSA1 Foton
IPP50CN10NGXKSA1 Pris
IPP50CN10NGXKSA1 Erbjudande
IPP50CN10NGXKSA1 Lägsta pris
IPP50CN10NGXKSA1 Sök
IPP50CN10NGXKSA1 Köp av
IPP50CN10NGXKSA1 Chip