IPI126N10N3 G
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
Artikelnummer
IPI126N10N3 G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO262-3
Effektförlust (max)
94W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12.6 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13918 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPI126N10N3 G
IPI126N10N3 G Elektroniska komponenter
IPI126N10N3 G Försäljning
IPI126N10N3 G Leverantör
IPI126N10N3 G Distributör
IPI126N10N3 G Datatabell
IPI126N10N3 G Foton
IPI126N10N3 G Pris
IPI126N10N3 G Erbjudande
IPI126N10N3 G Lägsta pris
IPI126N10N3 G Sök
IPI126N10N3 G Köp av
IPI126N10N3 G Chip