IPI100N04S303AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
Artikelnummer
IPI100N04S303AKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO262-3
Effektförlust (max)
214W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
145nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8368 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPI100N04S303AKSA1
IPI100N04S303AKSA1 Elektroniska komponenter
IPI100N04S303AKSA1 Försäljning
IPI100N04S303AKSA1 Leverantör
IPI100N04S303AKSA1 Distributör
IPI100N04S303AKSA1 Datatabell
IPI100N04S303AKSA1 Foton
IPI100N04S303AKSA1 Pris
IPI100N04S303AKSA1 Erbjudande
IPI100N04S303AKSA1 Lägsta pris
IPI100N04S303AKSA1 Sök
IPI100N04S303AKSA1 Köp av
IPI100N04S303AKSA1 Chip