IPD082N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Artikelnummer
IPD082N10N3GBTMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 75µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3980pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5330 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD082N10N3GBTMA1
IPD082N10N3GBTMA1 Elektroniska komponenter
IPD082N10N3GBTMA1 Försäljning
IPD082N10N3GBTMA1 Leverantör
IPD082N10N3GBTMA1 Distributör
IPD082N10N3GBTMA1 Datatabell
IPD082N10N3GBTMA1 Foton
IPD082N10N3GBTMA1 Pris
IPD082N10N3GBTMA1 Erbjudande
IPD082N10N3GBTMA1 Lägsta pris
IPD082N10N3GBTMA1 Sök
IPD082N10N3GBTMA1 Köp av
IPD082N10N3GBTMA1 Chip