IPD031N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Artikelnummer
IPD031N03LGATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
94W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5300pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51629 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD031N03LGATMA1
IPD031N03LGATMA1 Elektroniska komponenter
IPD031N03LGATMA1 Försäljning
IPD031N03LGATMA1 Leverantör
IPD031N03LGATMA1 Distributör
IPD031N03LGATMA1 Datatabell
IPD031N03LGATMA1 Foton
IPD031N03LGATMA1 Pris
IPD031N03LGATMA1 Erbjudande
IPD031N03LGATMA1 Lägsta pris
IPD031N03LGATMA1 Sök
IPD031N03LGATMA1 Köp av
IPD031N03LGATMA1 Chip