IPB50R140CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
Artikelnummer
IPB50R140CPATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
192W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
550V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 930µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2540pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54667 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB50R140CPATMA1
IPB50R140CPATMA1 Elektroniska komponenter
IPB50R140CPATMA1 Försäljning
IPB50R140CPATMA1 Leverantör
IPB50R140CPATMA1 Distributör
IPB50R140CPATMA1 Datatabell
IPB50R140CPATMA1 Foton
IPB50R140CPATMA1 Pris
IPB50R140CPATMA1 Erbjudande
IPB50R140CPATMA1 Lägsta pris
IPB50R140CPATMA1 Sök
IPB50R140CPATMA1 Köp av
IPB50R140CPATMA1 Chip