IPB50N10S3L16ATMA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
Artikelnummer
IPB50N10S3L16ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
15.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 60µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4180pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44619 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB50N10S3L16ATMA1
IPB50N10S3L16ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB50N10S3L16ATMA1 Försäljning
IPB50N10S3L16ATMA1 Leverantör
IPB50N10S3L16ATMA1 Distributör
IPB50N10S3L16ATMA1 Datatabell
IPB50N10S3L16ATMA1 Foton
IPB50N10S3L16ATMA1 Pris
IPB50N10S3L16ATMA1 Erbjudande
IPB50N10S3L16ATMA1 Lägsta pris
IPB50N10S3L16ATMA1 Sök
IPB50N10S3L16ATMA1 Köp av
IPB50N10S3L16ATMA1 Chip